新闻发布

新闻稿
2013年02月27日

新日本无线和电装公司签订了关于功率半导体「超结MOS管」的技术许可协议

新日本无线株式会社(总部:东京都中央区 社长:小仓 良)一直和株式会社电装(总部:爱知县刈谷市 社长:加藤 宣明)通过车载半导体的业务往来保持着良好的合作关系。电装公司开发了能实现低导通阻抗的世界顶级水平*1的功率半导体「Super Junction MOS晶体管」(以下称超结MOS管)。新日本无线率先和电装公司签订了该技术许可协议。

  • *1

    2013年2月为止 新日本无线调查结果

概要

电装公司开发的超结MOS管采用了独创的「沟道掩埋外延生长」技术,芯片每单位面积的导通阻抗与现有产品相比降低了大约1/2,因此对电源产品来说更容易实现省电和小型化。
新日本无线将从2013年8月开始量产20A级别的MOS管,主要致力于对省电和小型化要求比较高的电脑用电源、功率调节器、AC适配器等领域的产品,并顺次开发30A及10A级别产品,逐步扩大事业范围。

新日本无线作为「环保型企业」是特别重视环境、能源的日清纺集团的一员,推出节能型的功率半导体产品将利于推进低碳社会的建设。

产品特点

VDSS 600V(min)
ID 20A
RDS(ON) 190mΩ(max)

应用

  • 电脑用电源、功率调节器、AC适配器 等

在此记载的新闻发布内容仅仅是产品发布时的状况,欲想了解产品最新进展情况,敬请咨询。

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